爱游戏-贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书 探讨基于GaN的电力电子器件的优势

[导读]2024年12月3日 – 专注在鞭策行业立异的知名新品引入 (NPI) 代办署理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 公布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，切磋氮化镓 (GaN) 在效力、机能和可延续性方面的优势，和阐扬这些优势所面对的挑战。 2024年12月3日 – 专注在鞭策行业立异的知名新品引入 (NPI) 代办署理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 公布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，切磋氮化镓 (GaN) 在效力、机能和可延续性方面的优势，和阐扬这些优势所面对的挑战。 《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》(10位专家泛论氮化镓手艺)一书切磋了比硅效力更高、开关速度更快、功率密度更年夜的氮化镓若何完全改变电力电子行业。从汽车和工业利用，再到消费电子和可再生能源，GaN手艺的优势对各行各业都有着深远影响。这本新电子书供给了ADI、Bourns和其他公司的专家对GaN的看法，包罗GaN的优势、设计人员初次利用GaN可能面对的挑战和若何顺遂完成从硅到GaN的过渡。本电子书还重点介绍了ADI和Bourns的相干产物，包罗GaN节制器和驱动器，和功率电感器等。 ADI LTC7890/1同步降压节制器是一款高机能的降压型DC-DC开关稳压器节制器，经由过程高达100V的输入电压驱动N沟道同步GaN场效应晶体管 (FET) 功率级。与硅金属氧化物半导体解决方案比拟，这些器件简化了利用设计，无需庇护二极管和其他额外的外部组件。 LT8418是一款100V半桥GaN驱动器，集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑节制和庇护功能。LT8418供给分手式栅极驱动器来调剂GaN FET的开启和封闭压摆率，是以能按捺振铃并优化EMI机能。 因为GaN手艺的高开关频率，需要用户细心选择无源元件。Bourns供给针对GaN高频优化的进步前辈磁性元器件，包罗其PQ扁线功率电感器、CWP3230A片式电感器和 TLVR1105T TLVR电感器。这些器件具有低电感、高额定电流和低辐射的屏障布局。 Bourns HCTSM150102HL变压用具有更强的隔离能力、15mm最小电气间隙/爬电距离和7.64kV (2s) 耐压，晋升了隔离高压危险的程度。该变压器采取铁氧体环形磁芯，具有高耦合系数和效力。

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